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金納米SERS芯片
第一章背景介紹
SERS技術
表面增強拉曼技術(Surface Enhanced Raman Spectroscopy；SERS) 通過貴金屬(金或銀) 納米結構的電磁場增強效應，將吸附于SERS基底上的目標分子的拉曼信號放大百萬倍以上，從而實現多種物質痕量檢測。其濃度檢測范圍一般為ppb~ppm級別。
目前SERS痕量檢測技術已發(fā)展成為食品安全快速檢測必/備技術。同時SERS技術還廣泛應用于環(huán)境檢測， 公共安全， 生物醫(yī)藥及科研領域。
拉曼效應
拉曼效應指物質分子由于運動而吸收光能，隨后通過再輻射向四周散射光能。拉曼散射中輻射光與入射光(吸收光)能量不同，其差值表達了物質分子的結構特征。拉曼效應存在于一切分子中，無論氣體，液體或固體，其散射頻率一般是分子內部振動或轉動頻率。類似于每個人都有不同于他人的指紋，每一種物質(分子)有自己的特征拉曼光譜，因之人們可以根據物質的拉曼譜圖鑒定這一物質。目前全球范圍內已收集了超過9000種物質的拉曼譜圖。
SERS光譜VS拉曼光譜
物質的常規(guī)拉曼信號較弱，需要一定數量才能夠被檢測(至少肉眼可見)。而SERS技術能極大的放大物質分子的拉曼信號， 少數分子即可產生足夠的信號，因此是一種痕量分析技術。
SERS基底
SERS技術的核心是SERS增強基底， 不同納米結構的SERS基底增強目標分子拉曼信號的能力不同。通過調控基底的組成、形狀、尺寸、間距和聚集方式等可以優(yōu)化優(yōu)化基底的SERS增強活性。
W SER-3芯片基底
均勻性優(yōu)異：同一芯片不同區(qū)域點， 標準偏差(relative standard deviation； RSD)在10%以內
SERS活性高：芯片的增強能力(Enhanced Factor) EF> 10
保質期長：使用周期大于180d
可定制化：可依據顧客需求，設計產品的結構、表面狀態(tài)及外觀尺寸
芯片規(guī)格
| 尺寸 | 25mm*75mm | 活性區(qū)域 | 5mm*5mm |
| 活性材料 | Au | 重復使用 | 否 |
| 激發(fā)波長 | 633nm/785nm | 激光功率 | ≤500mW |
| 最小樣品量 | 2uL | 保質期 | 180d |
包裝：5片/盒
第二章SERS芯片使用流程及注意事項
SERS檢測
檢測包括：1)樣品前處理，提取復雜介質中的目標物質，并盡可能排除干擾物質； 2) 將目標物質通過化學/物理吸附， 負載于SERS基底表面：3) 在微拉曼儀的激發(fā)光下， SERS基底將目標分子的拉曼信號放大， 回饋微拉曼儀， 并通過儀器自動識別，分辨目標分子。
標準檢測流程
1.打開外包裝，取出置于塑料盒中保護的芯片；
2.注意不讓芯片活性區(qū)域接觸任何物質表面，否則極有可能造成污染；
3.載入樣品，可選擇滴加、旋涂或浸泡；
4.待芯片晾干后，進行測試。
注意事項
1.接觸芯片請配帶手套；
2.保持周圍環(huán)境干凈；
3.切忌接觸或刮擦活性區(qū)域；
4.高的空氣濕度會加大表面污染的概率；
5.空氣中不能有污染性氣體；
6.芯片不可回收。
7.測試參數選擇將影響測試結果。待測試參數(激光功率，積分時間，上樣方式等)*優(yōu)化后，選擇同樣的測試參數，可獲得可重復的結果。
加樣方式
滴加：用移液槍在SERS活性區(qū)域滴加5uL左右(可自行設定) 樣品溶液， 待溶劑揮發(fā)干后， 進行SERS光譜采集。可通過適當加熱(<80℃) 加快揮發(fā)速度，提高芯片基底與待測物質結合效率。
蒸發(fā)：芯片也可通過吸附易揮發(fā)物質氣體分子實現加樣
浸泡：對于與芯片作用力較強的目標物質，可采取溶液浸泡的方式加樣。將芯片浸沒于待測分子溶液中， 吸附一段時間(>10min) 后取出， 用溶劑沖洗后晾干，隨后進行檢測。相對而言，通過浸泡方式加樣，所獲得的檢測結果重現性較高。
參數選擇
1.焦距：為確保激光焦平面在樣品表面，可用X-Y-Z三維平臺進行聚焦，或選取固定焦距配件進行聚焦。
2.功率：激光功率選取與激光斑點尺寸有關，原則上激光功率密度不高于1600W/cm²，相對于785nm激光，當激光點直徑為150um時，可選擇不超過400mW功率。若激光功率太高，易使目標分子發(fā)生碳化。
3.積分時間：提高積分可以提高樣品信號，但同時也會增加基底背景及熒光背景。
4.積分次數：提高積分次數可增加信噪比，但也增加樣品碳化幾率。
儲存
1.氮氣氣氛下保存(可放置大于180天)
2.室溫儲存，至于干燥環(huán)境中(保干器)；
3.有效期內使用， 否則其SERS活性會顯著下降。
常見問題
1.SERS芯片適用哪種拉曼儀?
SERS基底材料為Au， 因此可選擇激光波長為633nm及785nm的拉曼檢測儀。
2.如何知道目標分子為拉曼活性的?
可事先通過查閱文獻資料獲得，或來電/咨詢本公司技術人員獲取參考意見。
3.基底活性降低是什么原因?如何避免?
基底由于緩慢氧化會導致SERS活性持續(xù)降低， 通常可將芯片放入氮氣氣氛下儲存，以減緩活性區(qū)域的氧化速度。但這種氧化不可避免，只能盡量減緩。因此建議盡早使用芯片，以獲得更佳的使用效果。
4.芯片基底可以重復使用嗎?
不可以。在檢測過程中， 目標分子會與芯片基底發(fā)生強吸附以獲得更好的SERS響應。測試結束后，若要將分子解吸附，需進行較為激烈的處理。通常這些處理均會對芯片原有結構造成不可預期的破壞， 因此不建議用戶重復使用SERS芯片基底。
第三章結構參數及應用實例
1.SERS活性
A)增強因子(EF)
EF定義為相同數量物質分子的SERS信號與常規(guī)拉曼信號強度之比， 表示為：
其中I urf和Ib uk分別為表面和溶液相分子某個振動的積分強度， Nuri和Nb uk分別對應于同一入射光束下表面吸附的分子數和體相的分子數。經過計算， 天際創(chuàng)新SERS芯片對1mM吡啶分子的SERS增強為5×108。另一方面， 天際創(chuàng)新SERS芯片粒子間距~2nm， 理論計算也表明其SERS增強EF>108。
B) 檢測限(Limit of Detection， LOD)
指由基質空白所產生的儀器背景信號的3倍值的相應量，或者以基質空白產生的背景信號平均值加上3倍的均數標準差。
2.均勻性
為了表征整個SERS基底的均一性， 對基底進行大區(qū)域的拉曼成像。成像范圍為4.98*4.56mm，數據點共計25232=166*152，步長為30um。探針分子為濃度1uM的4，4-聯吡啶，選擇1291cm處拉曼峰的峰強度進行拉曼成像，成像的結果如下。其中， 黃色為SERS基底中間區(qū)域， 藍色對應的是SERS基底的邊緣區(qū)域， 黑色為SERS基底之外的空白的區(qū)域。從拉曼的成像結果可以看出， 合成的SERS基底較為均勻， RSD<10%。
從電鏡結構可以看到，芯片基底表面大部分為3~6個納米粒子的聚集體結構，在數十微米尺度的激光斑點下，其均勻性十分優(yōu)異。
3.重現性
選取20片不同批次生產的SERS芯片， 在同一條件下進行測試。以其中任意一條光譜為標準，在微拉曼儀器上建立數據庫。通過自動匹配來檢驗其余芯片測試結果，設置儀器自動匹配度為85%，其余結果顯示*符合，且信號強度波動在15%以內。
4.穩(wěn)定性
選取同一批次芯片，每隔3天取1片進行相同條件下測試，記錄信號隨時間變化。
5.定量性
分別對同一物質不同濃度測試結果設置標準數據庫，通過儀器自動識別匹配。
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